化學(xué)機(jī)械拋光機(jī)具有強(qiáng)防腐蝕的功能，在保護(hù)操作人員人身安全的情況下，還能夠很好的滿足腐蝕拋光溶劑，如溴甲醇，過氧化氫或酸腐蝕劑等，同樣也適用于腐蝕性較弱的化學(xué)拋光，如半導(dǎo)體晶片的背面拋光。CPI系列純化學(xué)拋光設(shè)備可以與GNAD系列研磨拋光設(shè)備配合使用，可以實(shí)現(xiàn)電子器件對于晶片表面平整度、平行度及厚度非?？量痰目刂埔螅⒛?達(dá)到這些控制標(biāo)準(zhǔn)。

 

　　化學(xué)機(jī)械拋光機(jī)的原理：

　　設(shè)備由主驅(qū)動系統(tǒng)，防腐蝕填料系統(tǒng)，廢料疏導(dǎo)系統(tǒng)和遠(yuǎn)程控制系統(tǒng)組成，拋光盤更換方便，并且容易清洗。主驅(qū)動系統(tǒng)配有齒輪驅(qū)動裝置，樣品在行星齒輪內(nèi)繞著中心齒輪同步轉(zhuǎn)動，保證了樣品表面平整度和平行度。

 

　　應(yīng)用：

　　1、用于紅外探測和其它器件的碲鋅鎘，銻化銦，碲鎘汞等材料在封裝及外延生長前的末級化學(xué)腐蝕拋光。

　　2、用于薄脆的半導(dǎo)體材料，如砷化鎵，磷化銦和多種Ⅲ-Ⅴ族，Ⅱ-Ⅵ族化合物等。

　　3、用于所有需要電子/光學(xué)級拋光的高標(biāo)準(zhǔn)應(yīng)用，如硫化鎘及類似的光電材料。

 

　　化學(xué)機(jī)械拋光機(jī)主要特點(diǎn)：

　　1、原位摩擦：該儀器通過測量原位摩擦和磨損程度來研究基本的拋光技術(shù)，而磨擦的變化則可用來描述移除率的近似值。

　　2、原位墊片磨損：原位磨損率則可用來反應(yīng)在拋光，調(diào)節(jié)等情況下墊片的狀態(tài)。

　　3、狀態(tài)：原位和非原位調(diào)節(jié)

　　4、晶片尺寸：易于替換的晶片夾具可在同一測試儀上進(jìn)行拋光樣品的尺寸由1英寸至4英寸。

　　5、泵：獨(dú)立的可編程泵可提供泥漿，水以及其他的化工產(chǎn)品。

　　6、技術(shù)：化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）是用來對正在加工中的晶片或其他物料進(jìn)行平坦化處理的過程，而拋光技術(shù)則是利用了物理和化學(xué)的協(xié)同作用對晶片進(jìn)行的拋光，通過給儲存在拋光片里樣本的底座一個加載力而完成的，當(dāng)包含了研磨劑和活性化學(xué)劑兩種成分的拋光液通過底部時，拋光墊和樣本開始計數(shù)旋轉(zhuǎn)。